창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD18533KCS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD18533KCS | |
PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD18533KCS Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3025pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 192W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 296-35013 CSD18533KCS-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD18533KCS | |
관련 링크 | CSD18, CSD18533KCS Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | TPSMB22AHE3/5BT | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC SMB | TPSMB22AHE3/5BT.pdf | |
![]() | DDTA143EUA-7-F | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | DDTA143EUA-7-F.pdf | |
![]() | RL822-101K-RC | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 580mA 280 mOhm Max Radial | RL822-101K-RC.pdf | |
![]() | RC0603F3011CS | RES SMD 3.01K OHM 1% 1/20W 0201 | RC0603F3011CS.pdf | |
![]() | RT0603DRE071K18L | RES SMD 1.18KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE071K18L.pdf | |
![]() | TNPW20101K60BETF | RES SMD 1.6K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20101K60BETF.pdf | |
![]() | Y078510R9730B9L | RES 10.973 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y078510R9730B9L.pdf | |
![]() | DP09HN12B20F | DP09 HOR 12P NDET 20F M7*7MM | DP09HN12B20F.pdf |