창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17303Q5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD17303Q5 | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014 Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17303Q5 Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1618 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 25A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3420pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-27232-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD17303Q5 | |
관련 링크 | CSD17, CSD17303Q5 Datasheet, Texas Instruments Distributor |
![]() | C0603X103M5RACTU | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603X103M5RACTU.pdf | |
![]() | VJ0603D150KLPAP | 15pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D150KLPAP.pdf | |
![]() | VJ1206Y331KBGAT4X | 330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y331KBGAT4X.pdf | |
![]() | VJ0805D680FLBAC | 68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D680FLBAC.pdf | |
![]() | VJ0805D271FLBAT | 270pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D271FLBAT.pdf | |
![]() | F339MX221531KCM2B0 | 1500pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | F339MX221531KCM2B0.pdf | |
![]() | SG-615P 3.0880MC0 | 3.088MHz CMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 23mA Enable/Disable | SG-615P 3.0880MC0.pdf | |
![]() | SGW25N120 | IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 | SGW25N120.pdf | |
![]() | ERA-8APB6191V | RES SMD 6.19K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB6191V.pdf | |
![]() | RT0805CRD074R87L | RES SMD 4.87 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD074R87L.pdf | |
![]() | Y14870R02000D0W | RES SMD 0.02 OHM 0.5% 1W 2512 | Y14870R02000D0W.pdf | |
![]() | NJG1307R-TE1 | RF Amplifier IC Cellular 800MHz, 1.5GHz, 1.9GHz 8-VSP | NJG1307R-TE1.pdf |