창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL21B223KBANNNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CL21B223KBANNNC Characteristics CL21B223KBANNNCSpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC High Cap MLCC Family Soft Termination MLCC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.022µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.030"(0.75mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1276-1081-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CL21B223KBANNNC | |
관련 링크 | CL21B22, CL21B223KBANNNC Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor |
![]() | 1206Y2K00102KST | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206Y2K00102KST.pdf | |
![]() | RDE7U2E222J1M1H03A | 2200pF 250V 세라믹 커패시터 U2J 방사 0.177" L x 0.124" W(4.50mm x 3.15mm) | RDE7U2E222J1M1H03A.pdf | |
![]() | VJ0402D5R1DXAAP | 5.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R1DXAAP.pdf | |
![]() | VJ0603D240MXBAC | 24pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D240MXBAC.pdf | |
![]() | BFC247051393 | 0.039µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | BFC247051393.pdf | |
![]() | CDV30FH471GO3 | MICA | CDV30FH471GO3.pdf | |
![]() | 195D685X0035Z2T | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V 2910 (7227 Metric) 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | 195D685X0035Z2T.pdf | |
![]() | 9C25070015 | 25MHz ±30ppm 수정 20pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C25070015.pdf | |
![]() | AG01WS | DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL | AG01WS.pdf | |
![]() | RT0402CRE0739KL | RES SMD 39K OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRE0739KL.pdf | |
![]() | RNF12BTD26K7 | RES 26.7K OHM 1/2W .1% AXIAL | RNF12BTD26K7.pdf | |
![]() | CMF553K7400BEEK | RES 3.74K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF553K7400BEEK.pdf |