Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL10A225KQ8NNNC

CL10A225KQ8NNNC
제조업체 부품 번호
CL10A225KQ8NNNC
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
2.2µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
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내부 부품 번호EIS-CL10A225KQ8NNNC
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CL10A225KQ8NNNC Spec
CL10A225KQ8NNNC Characteristics
MLCC Catalog
제품 교육 모듈High Cap MLCC Family
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보MLCC RoHS 2 Compliance
주요제품Multi-Layer Ceramic Capacitors
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
계열CL
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량2.2µF
허용 오차±10%
전압 - 정격6.3V
온도 계수X5R
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 85°C
응용 제품범용
등급-
패키지/케이스0603(1608 미터법)
크기/치수0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.035"(0.90mm)
리드 간격-
특징-
리드 유형-
표준 포장 4,000
다른 이름1276-1183-2
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)CL10A225KQ8NNNC
관련 링크CL10A22, CL10A225KQ8NNNC Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor
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50MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F50011ASR.pdf
37MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F37035CDT.pdf
DIODE GEN PURP 400V 6A P600 GI754-E3/73.pdf
DIODE MODULE 4.4KV 600A DO200AA R7204406XXOO.pdf
DIODE ZENER 68V 500MW SOD80 TZMC68-GS08.pdf
MOSFET N-CH 600V 42A TO-247 STWA48N60M2.pdf
3.3µH Unshielded Molded Inductor 555mA 1 Ohm Max Axial 2150-12K.pdf
78µH Unshielded Toroidal Inductor 460mA 800 mOhm Nonstandard PE-53812SNLT.pdf
RES SMD 270 OHM 1% 1/4W 1206 ERJ-S08F2700V.pdf
RES SMD 294 OHM 0.5% 1/4W 1206 AT1206DRD07294RL.pdf