창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C2012X7R1H334K125AA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C2012X7R1H334K125AA Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.33µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-7541-2 C2012X7R1H334K C2012X7R1H334KT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C2012X7R1H334K125AA | |
관련 링크 | C2012X7R1, C2012X7R1H334K125AA Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | C3216X7R2J332K115AM | 3300pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R2J332K115AM.pdf | |
![]() | CGA9N2X7R2A335M230KA | 3.3µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | CGA9N2X7R2A335M230KA.pdf | |
![]() | 06033A331JAT2A | 330pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A331JAT2A.pdf | |
![]() | C907U152MZVDBAWL40 | 1500pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U152MZVDBAWL40.pdf | |
![]() | P6KE33A-TP | TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO15 | P6KE33A-TP.pdf | |
![]() | EZJ-Z1V120KA | VARISTOR 12V 20A 0603 | EZJ-Z1V120KA.pdf | |
![]() | 402F2601XIJT | 26MHz ±10ppm 수정 9pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F2601XIJT.pdf | |
![]() | 511QBB-BAAG | 125MHz ~ 169.999MHz CMOS, Dual (Complimentary) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable | 511QBB-BAAG.pdf | |
![]() | LQP02HQ3N4C02E | 3.4nH Unshielded Thin Film Inductor 400mA 300 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ3N4C02E.pdf | |
![]() | 4379R-152JS | 1.5µH Shielded Inductor 600mA 140 mOhm Max 2-SMD | 4379R-152JS.pdf | |
![]() | S0603-3N3G1B | 3.3nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-3N3G1B.pdf | |
![]() | RCP0505B820RGED | RES SMD 820 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B820RGED.pdf |