창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK9Y43-60E,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BUK9Y43-60E,115 | |
PCN 조립/원산지 | TrenchMOS Silicon Process 19/Sep/2014 Wafer Fab Site Transfer 15/Dec/2014 | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-10981-2 934067024115 BUK9Y43-60E,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BUK9Y43-60E,115 | |
관련 링크 | BUK9Y43, BUK9Y43-60E,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | HRG3216P-9101-D-T5 | RES SMD 9.1K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-9101-D-T5.pdf | |
![]() | 4612X-102-154LF | RES ARRAY 6 RES 150K OHM 12SIP | 4612X-102-154LF.pdf | |
![]() | MBB02070C1211FCT00 | RES 1.21K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1211FCT00.pdf | |
FT-S31W | FIBER 3MM THRUBEAM R1 BEND RAD | FT-S31W.pdf | ||
![]() | P51-200-S-E-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-S-E-I36-5V-000-000.pdf |