NXP Semiconductors BUK7880-55/CUF
SOT223-1.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- BUK7880-55/CUF
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BUK7880-55/CUF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 138.03230
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BUK7880-55/CUF, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BUK7880-55/CUF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7880-55/CUF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BUK7880-55/CUF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BUK7880-55/CUF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK7880-55/CUF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BUK7880-55 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SC-73 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 568-12759-2 934068282135 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BUK7880-55/CUF | |
| 관련 링크 | BUK7880, BUK7880-55/CUF Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BUK7880-55/CUF 의 관련 제품
 | 1206AC222JAT1A | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206AC222JAT1A.pdf | |
 | CDV30EJ430GO3F | MICA | CDV30EJ430GO3F.pdf | |
 | T491R105M020AS | 1µF Molded Tantalum Capacitors 20V 0805 (2012 Metric) 20 Ohm 0.079" L x 0.051" W (2.00mm x 1.30mm) | T491R105M020AS.pdf | |
 | GTCA25-401M-R02 | GDT 400V 20% 2.5KA THROUGH HOLE | GTCA25-401M-R02.pdf | |
 | P4KE6.8CA | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC AXIAL | P4KE6.8CA.pdf | |
 | ABLS3-19.6608MHZ-D4Y-T | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS3-19.6608MHZ-D4Y-T.pdf | |
 | CX3225GB27000P0HPQCC | 27MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB27000P0HPQCC.pdf | |
| SIT1602AI-72-33E-24.000000D | OSC XO 3.3V 24MHZ OE | SIT1602AI-72-33E-24.000000D.pdf | |
 | 1SS301,LF | DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM | 1SS301,LF.pdf | |
 | RW3R0DBR050JE | RES SMD 0.05 OHM 5% 3W J LEAD | RW3R0DBR050JE.pdf | |
-4.jpg) | RAVF164DJT430R | RES ARRAY 4 RES 430 OHM 1206 | RAVF164DJT430R.pdf | |
| DP11SHN20B20S | DP11S HOR 20P NDET 20S M7*7MM | DP11SHN20B20S.pdf |
