NXP Semiconductors BUK7107-55AIE,118
- 제조업체 부품 번호
- BUK7107-55AIE,118
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BUK7107-55AIE,118 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,643.93396
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BUK7107-55AIE,118, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BUK7107-55AIE,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7107-55AIE,118, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BUK7107-55AIE,118 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BUK7107-55AIE,118 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK7107-55AIE,118 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BUK7107-55AIE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 전류 감지 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 116nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 272W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-5, D²Pak(4리드(lead)+탭), TO-263BB | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-426 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 934057272118 BUK7107-55AIE /T3 BUK7107-55AIE /T3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BUK7107-55AIE,118 | |
| 관련 링크 | BUK7107-, BUK7107-55AIE,118 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BUK7107-55AIE,118 의 관련 제품
 | ECW-H10752HVB | 7500pF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) | ECW-H10752HVB.pdf | |
| 0215.250MXGP | FUSE CERAMIC 250MA 250VAC 5X20MM | 0215.250MXGP.pdf | |
 | V2F118A400Y2EDP | VARISTOR CAP FEEDTHRU 18V 0805 | V2F118A400Y2EDP.pdf | |
-5.00-mm-x-3.20-mm.jpg) | DSC1001BI1-014.7456T | 14.7456MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001BI1-014.7456T.pdf | |
 | G2SB60-E3/51 | DIODE GPP 1.5A 600V GBL | G2SB60-E3/51.pdf | |
 | SBLB1640CTHE3/45 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO263AB | SBLB1640CTHE3/45.pdf | |
 | EGP50G-E3/73 | DIODE GEN PURP 400V 5A GP20 | EGP50G-E3/73.pdf | |
 | 1110-4R7M-RC | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 9A 7 mOhm Max Radial | 1110-4R7M-RC.pdf | |
.jpg) | RT1206DRD0724K9L | RES SMD 24.9K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD0724K9L.pdf | |
 | FKN2WSJR-73-3R9 | RES 3.9 OHM 2W 5% AXIAL | FKN2WSJR-73-3R9.pdf | |
 | CMF0715K000JNBF | RES 15K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF0715K000JNBF.pdf | |
 | DS75S+T&R | SENSOR TEMPERATURE I2C 8SOIC | DS75S+T&R.pdf |
