Infineon Technologies BSZ130N03MS G

BSZ130N03MS G
제조업체 부품 번호
BSZ130N03MS G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
Datesheet 다운로드
다운로드
BSZ130N03MS G 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 201.63686
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of BSZ130N03MS G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSZ130N03MS G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ130N03MS G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
BSZ130N03MS G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSZ130N03MS G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSZ130N03MS G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BSZ130N03MS G
PCN 기타Multiple Changes 09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Ta), 35A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs11.5m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs17nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
전력 - 최대25W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
표준 포장 5,000
다른 이름BSZ130N03MSG
BSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSGINTR
BSZ130N03MSGXT
SP000313122
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)BSZ130N03MS G
관련 링크BSZ130, BSZ130N03MS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
BSZ130N03MS G 의 관련 제품
370pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) 12065A371JAT2A.pdf
180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) RPE5C2A181J2P1A03B.pdf
1.5µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 2.6 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) T86C155M035EAAL.pdf
FUSE BOARD MNT 800MA 32VDC 0603 FCD060800TP.pdf
VARISTOR 100V 2.5KA DISC 10MM V100ZT4P.pdf
OSC XO 3.3V 20MHZ ST SIT1618BA-13-33S-20.000000E.pdf
Shielded 2 Coil Inductor Array 600µH Inductance - Connected in Series 150µH Inductance - Connected in Parallel 324 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 1.2A Nonstandard CDRCH12D78BNP-151MC.pdf
RES SMD 432K OHM 1% 1/32W 01005 RC0100FR-07432KL.pdf
RES SMD 432K OHM 1% 1W 2010 CRCW2010432KFKEFHP.pdf
RES SMD 63.4K OHM 1% 1/16W 0402 CRCW040263K4FKTD.pdf
RES 383 OHM 1W 0.5% AXIAL H4P383RDZA.pdf
PTC Thermistor 3.9 Ohm Disc 10mm PTGL10AR3R9M3P51A0.pdf