창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC059N04LSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC059N04LS G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 73A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 23µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC059N04LS G BSC059N04LS G-ND BSC059N04LS GTR-ND BSC059N04LSG SP000391499 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC059N04LSGATMA1 | |
관련 링크 | BSC059N0, BSC059N04LSGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | GRM1556R1H6R6DZ01D | 6.6pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556R1H6R6DZ01D.pdf | |
![]() | MKP1837333013D | 0.033µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.295" L x 0.295" W (7.50mm x 7.50mm) | MKP1837333013D.pdf | |
![]() | 1N5373AE3/TR13 | DIODE ZENER 68V 5W T18 | 1N5373AE3/TR13.pdf | |
AON6782 | MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 | AON6782.pdf | ||
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![]() | 4302-121J | 120nH Unshielded Inductor 1.075A 130 mOhm Max 2-SMD | 4302-121J.pdf | |
![]() | RMCF2512FT332R | RES SMD 332 OHM 1% 1W 2512 | RMCF2512FT332R.pdf | |
![]() | CMF55290R00FKEB | RES 290 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55290R00FKEB.pdf | |
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