창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BGSA11GN10E6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 7,500 | |
다른 이름 | SP001308478 | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 스위치 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | * | |
부품 현황 | * | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BGSA11GN10E6327XTSA1 | |
관련 링크 | BGSA11GN10, BGSA11GN10E6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | 53D271F250HP6 | 270µF 250V Aluminum Capacitors Axial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 53D271F250HP6.pdf | |
![]() | CBR02C829C3GAC | 8.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C829C3GAC.pdf | |
![]() | C1206C474J5RACTU | 0.47µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C474J5RACTU.pdf | |
![]() | CX5032GB12000H0PESZZ | 12MHz ±50ppm 수정 12pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX5032GB12000H0PESZZ.pdf | |
![]() | ES2C-E3/5BT | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA | ES2C-E3/5BT.pdf | |
SLA6022 | TRANS 3NPN/3PNP DARL 12SIP | SLA6022.pdf | ||
![]() | PA4307.103NLT | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.8A 140 mOhm Max Nonstandard | PA4307.103NLT.pdf | |
![]() | KTR25JZPJ820 | RES SMD 82 OHM 5% 1/3W 1210 | KTR25JZPJ820.pdf | |
![]() | RT0603BRD0739RL | RES SMD 39 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0739RL.pdf | |
![]() | RG1608V-3321-D-T5 | RES SMD 3.32KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-3321-D-T5.pdf | |
![]() | CMF552M4000FHEB | RES 2.4M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552M4000FHEB.pdf | |
![]() | PPTR0300AP5VN-R120 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0 V ~ 5 V Cylinder | PPTR0300AP5VN-R120.pdf |