Infineon Technologies BGA7M1N6E6327XTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BGA7M1N6E6327XTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- RF 증폭기
- 간단한 설명
- RF Amplifier IC LTE 1.8GHz ~ 2.2GHz TSNP-6-2
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BGA7M1N6E6327XTSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 401.85620
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BGA7M1N6E6327XTSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BGA7M1N6E6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BGA7M1N6E6327XTSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BGA7M1N6E6327XTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BGA7M1N6E6327XTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BGA7M1N6E6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BGA7M1N6 | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 증폭기 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 주파수 | 1.8GHz ~ 2.2GHz | |
| P1dB | -7dBm | |
| 이득 | 13dB | |
| 잡음 지수 | 0.6dB | |
| RF 유형 | LTE | |
| 전압 - 공급 | 1.5 V ~ 3.3 V | |
| 전류 - 공급 | 4.4mA | |
| 테스트 주파수 | - | |
| 패키지/케이스 | 6-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | TSNP-6-2 | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 다른 이름 | SP001109138 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BGA7M1N6E6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BGA7M1N6E, BGA7M1N6E6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BGA7M1N6E6327XTSA1 의 관련 제품
 | 6SEP150M+TSS | 150µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 35 mOhm 3000 Hrs @ 105°C | 6SEP150M+TSS.pdf | |
-27.jpg) | CL32B225KCJSNNE | 2.2µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CL32B225KCJSNNE.pdf | |
 | AQ12EA390JAJBE | 39pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EA390JAJBE.pdf | |
 | SR-5-1.25A-AP | FUSE BRD MNT 1.25A 250VAC RADIAL | SR-5-1.25A-AP.pdf | |
 | SIT1532AI-J4-DCC-32.768E | 32.768kHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.5 V ~ 3.63 V 1.4µA | SIT1532AI-J4-DCC-32.768E.pdf | |
 | SIT9003AI-2-33SO | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.1mA Standby | SIT9003AI-2-33SO.pdf | |
 | MMBZ5264B-HE3-18 | DIODE ZENER 60V 225MW SOT23-3 | MMBZ5264B-HE3-18.pdf | |
 | M5010015V | MODULE POWER 100A 1200V SCR CC | M5010015V.pdf | |
 | BT138B-800E,118 | TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK | BT138B-800E,118.pdf | |
 | SIHA21N60EF-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 FP | SIHA21N60EF-E3.pdf | |
 | 4416P-T02-103 | RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SOIC | 4416P-T02-103.pdf | |
 | MBA02040C2611FRP00 | RES 2.61K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2611FRP00.pdf |
