창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43501A1477M80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43501 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43501 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 470µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 160V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 250m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1.81A @ 100Hz | |
임피던스 | 340m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 0.866" Dia(22.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 320 | |
다른 이름 | B43501A1477M 80 B43501A1477M080 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43501A1477M80 | |
관련 링크 | B43501A, B43501A1477M80 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | UBT1K101MPD1TD | 100µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 125°C | UBT1K101MPD1TD.pdf | |
![]() | 251R14S330KV4T | 33pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) | 251R14S330KV4T.pdf | |
![]() | 08053C154JAT2A | 0.15µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053C154JAT2A.pdf | |
![]() | 1808AA181KAT1A | 180pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808AA181KAT1A.pdf | |
![]() | P6SMB39C | TVS DIODE 33.3VWM 56.6VC SMD | P6SMB39C.pdf | |
![]() | 375NB6C2048T | 204.8MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 55mA Enable/Disable | 375NB6C2048T.pdf | |
![]() | CZRFR52C16-HF | DIODE ZENER 16V 200MW 1005 | CZRFR52C16-HF.pdf | |
![]() | AON6884 | MOSFET 2N-CH 40V 9A DFN5X6 | AON6884.pdf | |
![]() | ERA-3AEB4872V | RES SMD 48.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB4872V.pdf | |
![]() | ERJ-8CWJR036V | RES SMD 0.036 OHM 5% 1W 1206 | ERJ-8CWJR036V.pdf | |
![]() | RT0805WRE0720KL | RES SMD 20K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0720KL.pdf | |
![]() | Y1485V0069QT9R | RES NETWORK 2 RES MULT OHM 1610 | Y1485V0069QT9R.pdf |