Infineon Technologies AUIRL7766M2TR
- 제조업체 부품 번호
- AUIRL7766M2TR
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
AUIRL7766M2TR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,297.79021
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of AUIRL7766M2TR, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. AUIRL7766M2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRL7766M2TR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- AUIRL7766M2TR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
AUIRL7766M2TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRL7766M2TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | AUIRL7766M2TR(1) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5305pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 M4 | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ M4 | |
| 표준 포장 | 4,800 | |
| 다른 이름 | SP001516036 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRL7766M2TR | |
| 관련 링크 | AUIRL7, AUIRL7766M2TR Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
AUIRL7766M2TR 의 관련 제품
| B43866C4156M | 15µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 125°C | B43866C4156M.pdf | |
| UEP0J102MPD1TD | 1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UEP0J102MPD1TD.pdf | |
 | GRM1887U1H361JZ01D | 360pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H361JZ01D.pdf | |
 | FK18Y5V1H474Z | 0.47µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FK18Y5V1H474Z.pdf | |
 | 416F36033CTT | 36MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36033CTT.pdf | |
 | GDZ3V0B-HE3-18 | DIODE ZENER 3V 200MW SOD323 | GDZ3V0B-HE3-18.pdf | |
 | ISC1210ERR15K | 150nH Shielded Wirewound Inductor 600mA 200 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ERR15K.pdf | |
 | RG2012P-2371-D-T5 | RES SMD 2.37K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-2371-D-T5.pdf | |
 | UB5C-39RF8 | RES 39 OHM 5W 1% AXIAL | UB5C-39RF8.pdf | |
| Y0058315R000F0L | RES 315 OHM 0.3W 1% AXIAL | Y0058315R000F0L.pdf | |
 | STCS1PHR | LED 드라이버 IC 1 출력 선형 PWM 조광 1.5A PowerSO-8 | STCS1PHR.pdf | |
 | PCA9685PW/Q900,118 | LED 드라이버 IC 16 출력 선형 PWM 조광 25mA 28-TSSOP | PCA9685PW/Q900,118.pdf |
