창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRL2203N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AUIRL2203N | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001521374 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AUIRL2203N | |
관련 링크 | AUIRL, AUIRL2203N Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CL10C332JB8NNNC | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C332JB8NNNC.pdf | |
![]() | CL21B103KB6WPNC | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B103KB6WPNC.pdf | |
![]() | VJ0603D8R2CXBAJ | 8.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D8R2CXBAJ.pdf | |
![]() | 702R1C2.75 | FUSE CRTRDGE 70A 2.75KVAC NONSTD | 702R1C2.75.pdf | |
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![]() | CMF5524K000BHEB | RES 24K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5524K000BHEB.pdf | |
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![]() | SSCMRRN001PDAB5 | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.75 V 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Same Side | SSCMRRN001PDAB5.pdf |