창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR6215 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AUIRFR6215 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 Des Rev 22/Oct/2014 | |
PCN 조립/원산지 | D-Pak Leadframe BOM Update 26/Sep/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 295m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001517590 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AUIRFR6215 | |
관련 링크 | AUIRF, AUIRFR6215 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TNPW12101M10BEEN | RES SMD 1.1M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101M10BEEN.pdf | |
![]() | CRA04P08311R0JTD | RES ARRAY 4 RES 11 OHM 0804 | CRA04P08311R0JTD.pdf | |
![]() | C7620RJT | RES 620 OHM 7W 5% AXIAL | C7620RJT.pdf | |
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![]() | P51-3000-A-O-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-A-O-MD-4.5OVP-000-000.pdf |