창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR5410 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AUIRFR5410 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 Des Rev 22/Oct/2014 | |
PCN 조립/원산지 | D-Pak Leadframe BOM Update 26/Sep/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 205m옴 @ 7.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 66W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001515888 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AUIRFR5410 | |
관련 링크 | AUIRF, AUIRFR5410 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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BXIR-85090AA-0800 | Infrared (IR) Emitter 850nm 1.9V 1.5A 310mW/sr @ 1A 90° 3-SMD, No Lead | BXIR-85090AA-0800.pdf | ||
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![]() | PLT0805Z8561LBTS | RES SMD 8.56KOHM 0.01% 1/4W 0805 | PLT0805Z8561LBTS.pdf | |
![]() | ZDEV-10 | ZIGBEE SMART ENERGY DEV KIT | ZDEV-10.pdf |