창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7103QTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AUIRF7103Q | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Chg 30/Oct/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 255pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001517980 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7103QTR | |
관련 링크 | AUIRF7, AUIRF7103QTR Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
SLP393M016E4P3 | 39000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 17 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | SLP393M016E4P3.pdf | ||
![]() | VJ0402D0R7DLBAJ | 0.70pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R7DLBAJ.pdf | |
![]() | 12067C151KAT2A | 150pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12067C151KAT2A.pdf | |
![]() | MC08EA270G-TF | 27pF Mica Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | MC08EA270G-TF.pdf | |
![]() | TS080F33CET | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS080F33CET.pdf | |
![]() | 1N5919BPE3/TR12 | DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO204AL | 1N5919BPE3/TR12.pdf | |
![]() | IXFN110N85X | 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE | IXFN110N85X.pdf | |
![]() | AA2010FK-077M5L | RES SMD 7.5M OHM 1% 3/4W 2010 | AA2010FK-077M5L.pdf | |
![]() | RG3216P-6343-B-T1 | RES SMD 634K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-6343-B-T1.pdf | |
![]() | PTN1206E3482BST1 | RES SMD 34.8K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E3482BST1.pdf | |
![]() | OF510JE | RES 51 OHM 1/2W 5% AXIAL | OF510JE.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 6DB N1 | RF Attenuator 6dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 6DB N1.pdf |