Microsemi Corporation APTM50DDA10T3G
- 제조업체 부품 번호
- APTM50DDA10T3G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM50DDA10T3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 77,368.23077
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM50DDA10T3G, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM50DDA10T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM50DDA10T3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM50DDA10T3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM50DDA10T3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50DDA10T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM50DDA10T3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 18.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4367pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 312W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50DDA10T3G | |
| 관련 링크 | APTM50D, APTM50DDA10T3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM50DDA10T3G 의 관련 제품
| VJ0805D240JXCAP | 24pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D240JXCAP.pdf | |
| MKP386M547085YT5 | 4.7µF Film Capacitor 450V 850V Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.319" L x 0.866" W (33.50mm x 22.00mm) | MKP386M547085YT5.pdf | |
| SIT1602BI-22-33S-18.432000E | OSC XO 3.3V 18.432MHZ ST | SIT1602BI-22-33S-18.432000E.pdf | |
| SIT8918AE-71-33E-100.000000D | OSC XO 3.3V 100MHZ OE | SIT8918AE-71-33E-100.000000D.pdf | |
.jpg) | L-14CR12JV4T | 120nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 1.3 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | L-14CR12JV4T.pdf | |
 | 2300HT-180-V-RC | 18µH Shielded Toroidal Inductor 20.2A 7 mOhm Max Radial | 2300HT-180-V-RC.pdf | |
| 4501R-104M | 680nH Shielded Toroidal Inductor 5.5A 6 mOhm Max Nonstandard | 4501R-104M.pdf | |
 | RCP2512B12R0JEA | RES SMD 12 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B12R0JEA.pdf | |
 | CRCW120686R6FKEAHP | RES SMD 86.6 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW120686R6FKEAHP.pdf | |
,-Convex,-Long-Side-Terminals.jpg) | YC164-FR-073K32L | RES ARRAY 4 RES 3.32K OHM 1206 | YC164-FR-073K32L.pdf | |
 | ORNV50012002T5 | RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC | ORNV50012002T5.pdf | |
 | PSA-SB-3001T-30.834MHZ | QCM SENSOR 30.834 MHZ SMD | PSA-SB-3001T-30.834MHZ.pdf |
