Microsemi Corporation APTM50AM38STG
- 제조업체 부품 번호
- APTM50AM38STG
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM50AM38STG 가격 및 조달
가능 수량
1171 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM50AM38STG, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM50AM38STG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM50AM38STG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM50AM38STG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM50AM38STG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50AM38STG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM50AM38STG Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 246nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 694W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50AM38STG | |
| 관련 링크 | APTM50, APTM50AM38STG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM50AM38STG 의 관련 제품
 | 13008-061KESA/HR | 68µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V 2924 (7360 Metric) 100 mOhm 0.299" L x 0.236" W (7.60mm x 6.00mm) | 13008-061KESA/HR.pdf | |
 | 2SC3519 | TRANS NPN 160V 15A TO3P | 2SC3519.pdf | |
 | 744028006 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 750mA 400 mOhm Max Nonstandard | 744028006.pdf | |
 | CW100505-5N6J3 | 5.6nH Unshielded Wirewound Inductor 760mA 83 mOhm 0402 (1005 Metric) | CW100505-5N6J3.pdf | |
 | S1210R-332J | 3.3µH Shielded Inductor 449mA 800 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-332J.pdf | |
 | 0819-38F | 3.9µH Unshielded Molded Inductor 178mA 1.5 Ohm Max Axial | 0819-38F.pdf | |
 | S1008R-183G | 18µH Shielded Inductor 200mA 5 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | S1008R-183G.pdf | |
 | TE1500B390RJ | RES CHAS MNT 390 OHM 5% 1500W | TE1500B390RJ.pdf | |
.jpg) | AT0805DRD0734R8L | RES SMD 34.8 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD0734R8L.pdf | |
 | RCL1218215KFKEK | RES SMD 215K OHM 1W 1812 WIDE | RCL1218215KFKEK.pdf | |
.jpg) | RT1210BRD07274RL | RES SMD 274 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07274RL.pdf | |
 | ERG-3SJ101 | RES 100 OHM 3W 5% AXIAL | ERG-3SJ101.pdf |
