Microsemi Corporation APTGF15A120T1G
- 제조업체 부품 번호
- APTGF15A120T1G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- IGBT - 모듈
- 간단한 설명
- IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTGF15A120T1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 32,771.03140
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTGF15A120T1G, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTGF15A120T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF15A120T1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTGF15A120T1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTGF15A120T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGF15A120T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTGF15A120T1G Power Products Catalog | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 하프브리지 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 25A | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 15A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 1nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP1 | |
| 공급 장치 패키지 | SP1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTGF15A120T1G | |
| 관련 링크 | APTGF15, APTGF15A120T1G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTGF15A120T1G 의 관련 제품
| 36DX113G050AF2A | 11000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 1000 Hrs @ 85°C | 36DX113G050AF2A.pdf | |
| MKP385218160JC02H0 | 1800pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385218160JC02H0.pdf | |
 | V18MLA0805NA | VARISTOR 25V 120A 0805 | V18MLA0805NA.pdf | |
 | ABM11AIG-30.000MHZ-4Z-T3 | 30MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11AIG-30.000MHZ-4Z-T3.pdf | |
 | VS-41HFR20 | DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB | VS-41HFR20.pdf | |
 | NJVMJD32CT4G | TRANS PNP 100V 3A DPAK | NJVMJD32CT4G.pdf | |
 | NL453232T-181J-PF | 180µH Unshielded Wirewound Inductor 102mA 9.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | NL453232T-181J-PF.pdf | |
 | ISC1812ES1R8J | 1.8µH Shielded Wirewound Inductor 403mA 430 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES1R8J.pdf | |
 | SI8462BA-B-IS1 | General Purpose Digital Isolator 1000Vrms 6 Channel 150Mbps 25kV/µs (Typ) CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SI8462BA-B-IS1.pdf | |
.jpg) | RC2512JK-0756RL | RES SMD 56 OHM 5% 1W 2512 | RC2512JK-0756RL.pdf | |
| CPL-5212-30-NNN-79 | RF Directional Coupler 2GHz ~ 4GHz 30dB ± 1dB 50W N-Type In-Line Module | CPL-5212-30-NNN-79.pdf | |
 | PE4251MLI-Z | RF Switch IC General Purpose SPDT 3GHz 50 Ohm 8-MSOP-EP | PE4251MLI-Z.pdf |
