창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT5010LLLG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APT5010(B2,L)LL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 7® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 23A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264 [L] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APT5010LLLG | |
관련 링크 | APT50, APT5010LLLG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | FOXLF115 | 11.0592MHz ±30ppm 수정 시리즈 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | FOXLF115.pdf | |
FDSD0512-H-4R7M=P3 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 2A 180 mOhm Max Nonstandard | FDSD0512-H-4R7M=P3.pdf | ||
![]() | MHQ0402P0N5BT000 | 0.5nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P0N5BT000.pdf | |
![]() | L08055R6DEWTR\3 | 5.6nH Unshielded Thin Film Inductor 750mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | L08055R6DEWTR\3.pdf | |
![]() | RE1206DRE071K47L | RES SMD 1.47K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE071K47L.pdf | |
![]() | W21-2K2JI | RES 2.2K OHM 3W 5% AXIAL | W21-2K2JI.pdf | |
![]() | CB3JBR910 | RES .91 OHM 3W 5% CERAMIC WW | CB3JBR910.pdf | |
![]() | P51-15-S-F-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-S-F-P-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | 09B3002JF | NTC Thermistor 30k Bead | 09B3002JF.pdf |