Advanced Linear Devices Inc. ALD110908PAL
- 제조업체 부품 번호
- ALD110908PAL
- 제조업 자
- Advanced Linear Devices Inc.
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
ALD110908PAL 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,193.04000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of ALD110908PAL, we specialize in all series Advanced Linear Devices Inc. electronic components. ALD110908PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD110908PAL, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- ALD110908PAL 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
ALD110908PAL 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD110908PAL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ALD110808,908(A) | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12mA, 3mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500옴 @ 4.8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 820mV @ 1µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2.5pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PDIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1014-1040 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ALD110908PAL | |
| 관련 링크 | ALD110, ALD110908PAL Datasheet, Advanced Linear Devices Inc. Distributor | |
ALD110908PAL 의 관련 제품
 | 885012206061 | 2200pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | 885012206061.pdf | |
 | 1812CC562KAT1A | 5600pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812CC562KAT1A.pdf | |
 | SIT8008BIL11-33S-24.806000E | OSC XO 3.3V 24.806MHZ ST | SIT8008BIL11-33S-24.806000E.pdf | |
 | STF13N65M2 | MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP | STF13N65M2.pdf | |
| OP234W | Infrared (IR) Emitter 890nm 2V 100mA 50° TO-46-2 Metal Can | OP234W.pdf | |
.jpg) | LBC2016T220M | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 165mA 1.8 Ohm 0806 (2016 Metric) | LBC2016T220M.pdf | |
 | P1812-224H | 220µH Unshielded Inductor 120mA 9.68 Ohm Max Nonstandard | P1812-224H.pdf | |
 | MCR25JZHJ161 | RES SMD 160 OHM 5% 1/4W 1210 | MCR25JZHJ161.pdf | |
.jpg) | AT0402DRD07787RL | RES SMD 787 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD07787RL.pdf | |
.jpg) | RT0805CRE071K02L | RES SMD 1.02KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE071K02L.pdf | |
 | H847R5BDA | RES 47.5 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H847R5BDA.pdf | |
 | CY8C20121-SX1IT | Capacitive Touch Buttons 8-SOIC | CY8C20121-SX1IT.pdf |
