창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-85F6R19 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 80 Series Datasheet | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | Acrasil® 80 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 6.19 | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 5W | |
구성 | 권선 | |
특징 | - | |
온도 계수 | ±50ppm/°C | |
작동 온도 | - | |
패키지/케이스 | 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
크기/치수 | 0.343" Dia x 0.937" L(8.70mm x 23.80mm) | |
높이 | - | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | OH85F6R19 OH85F6R19-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 85F6R19 | |
관련 링크 | 85F, 85F6R19 Datasheet, Ohmite Distributor |
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![]() | 12101U320JAT2A | 32pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U320JAT2A.pdf | |
![]() | SMAJ12CA-TR | TVS DIODE 12VWM 25.3VC DO214AC | SMAJ12CA-TR.pdf | |
![]() | 407F39D016M6700 | 16.67MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407F39D016M6700.pdf | |
![]() | NSVBAS16WT3G | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70 | NSVBAS16WT3G.pdf | |
![]() | 4420P-601-270/550 | RC (T-Type) EMI Filter 1st Order Low Pass 8 Channel R = 27 Ohms, C = 55pF 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 4420P-601-270/550.pdf | |
![]() | LGJ10145TS-220M1R9-H | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 59.1 mOhm 2-SMD | LGJ10145TS-220M1R9-H.pdf | |
![]() | 2727R-02G | 12µH Unshielded Toroidal Inductor 385mA 1.3 Ohm Max Radial | 2727R-02G.pdf | |
![]() | TRR03EZPF3321 | RES SMD 3.32K OHM 1% 1/10W 0603 | TRR03EZPF3321.pdf | |
![]() | CR0402-FX-2872GLF | RES SMD 28.7K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-2872GLF.pdf | |
![]() | EXB-H5E221J | RES ARRAY 4 RES 220 OHM 5SSIP | EXB-H5E221J.pdf | |
![]() | MGA-636P8-TR1G | RF Amplifier IC General Purpose 450MHz ~ 1.5GHz 8-DFN (2x2) | MGA-636P8-TR1G.pdf |