창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-516D337M010MM6AE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 516D Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Vishay Sprague | |
계열 | 516D | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 330µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 10V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 300mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 0.315" Dia x 0.630" L(8.00mm x 16.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 축방향, CAN | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 516D337M010MM6AE3 | |
관련 링크 | 516D337M, 516D337M010MM6AE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | 562RX5RBA501EF222M | 2200pF 500V 세라믹 커패시터 X5R 방사형, 디스크 | 562RX5RBA501EF222M.pdf | |
![]() | GRM55Q7U2J273JW31L | 0.027µF 630V 세라믹 커패시터 U2J 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | GRM55Q7U2J273JW31L.pdf | |
![]() | GRM0335C1E6R3CD01D | 6.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E6R3CD01D.pdf | |
![]() | M550B828M006AA | 8200µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 6V M55 Module 15 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M550B828M006AA.pdf | |
![]() | 5KP20 | TVS DIODE 20VWM 34.02VC P600 | 5KP20.pdf | |
![]() | SIT3808AI-D2-33EH-62.500000Y | OSC XO 3.3V 62.5MHZ OE | SIT3808AI-D2-33EH-62.500000Y.pdf | |
![]() | STB60100CTR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK | STB60100CTR.pdf | |
![]() | 3613C151K | 150µH Unshielded Inductor 105mA 9 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | 3613C151K.pdf | |
![]() | SWT-0.68-377 | 377µH Unshielded Toroidal Inductor 680mA 1 Ohm Radial | SWT-0.68-377.pdf | |
![]() | FCSL76R001JER | RES SMD 0.001 OHM 3W 3015 WIDE | FCSL76R001JER.pdf | |
![]() | MNR14E0ABJ560 | RES ARRAY 4 RES 56 OHM 1206 | MNR14E0ABJ560.pdf | |
![]() | MT2B-0R02F1 | RES 0.02 OHM 3W 1% AXIAL | MT2B-0R02F1.pdf |