창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-510FBA200M000AAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si510/511 | |
제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si510 | |
포장 | 트레이 | |
유형 | XO(표준) | |
주파수 | 200MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVDS | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 23mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.071"(1.80mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 336-2667 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 510FBA200M000AAG | |
관련 링크 | 510FBA20, 510FBA200M000AAG Datasheet, Silicon Labs Distributor |
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![]() | P6KE8.2ATR | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO15 | P6KE8.2ATR.pdf | |
![]() | MUN2211T1 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 | MUN2211T1.pdf | |
![]() | SMA5127 | MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP | SMA5127.pdf | |
CBC2012T4R7M | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | CBC2012T4R7M.pdf | ||
![]() | DR124-821-R | 820µH Shielded Wirewound Inductor 530mA 2.351 Ohm Max Nonstandard | DR124-821-R.pdf | |
![]() | RMCF2010FT2M00 | RES SMD 2M OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT2M00.pdf | |
![]() | PAT0603E2981BST1 | RES SMD 2.98KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2981BST1.pdf | |
![]() | EP5WS680RJ | RES 680 OHM 5W 5% AXIAL | EP5WS680RJ.pdf | |
![]() | Y144130K0000B9L | RES 30K OHM 1W 0.1% RADIAL | Y144130K0000B9L.pdf |