창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-416F32013AKR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 416 Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | 416 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 32MHz | |
주파수 안정도 | ±30ppm | |
주파수 허용 오차 | ±10ppm | |
부하 정전 용량 | 8pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 200옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -10°C ~ 60°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.047" W(1.60mm x 1.20mm) | |
높이 | 0.018"(0.45mm) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 416F32013AKR | |
관련 링크 | 416F32, 416F32013AKR Datasheet, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components Distributor |
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![]() | VBE17-06NO7 | RECTIFIER BRIDGE | VBE17-06NO7.pdf | |
![]() | IRF8302MTRPBF | MOSFET N-CH 30V 31A MX | IRF8302MTRPBF.pdf | |
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![]() | CDRH6D12LDNP-6R8NC | 6.8µH Shielded Inductor 1.6A 95.3 mOhm Max Nonstandard | CDRH6D12LDNP-6R8NC.pdf | |
![]() | RC0201FR-07357RL | RES SMD 357 OHM 1% 1/20W 0201 | RC0201FR-07357RL.pdf | |
![]() | AA1210JR-071M2L | RES SMD 1.2M OHM 5% 1/2W 1210 | AA1210JR-071M2L.pdf | |
![]() | RP73D2A23R7BTDF | RES SMD 23.7 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A23R7BTDF.pdf | |
![]() | DP11SVN15A15P | DP11S VER 15P NDET 15P M7*5MM | DP11SVN15A15P.pdf |