창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.2D2E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ6.2D2E3/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ6.2D, 3EZ6.2D2E3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | C3216JB2E223K115AA | 0.022µF 250V 세라믹 커패시터 JB 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216JB2E223K115AA.pdf | |
![]() | MP081B | 8.192MHz ±30ppm 수정 18pF 35옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | MP081B.pdf | |
![]() | CM309E16000000ABAT | 16MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E16000000ABAT.pdf | |
![]() | 2KBP02M-M4/51 | DIODE GPP 2A 200V KBPM | 2KBP02M-M4/51.pdf | |
![]() | BZX55F33-TAP | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | BZX55F33-TAP.pdf | |
![]() | MMSZ5266B-E3-08 | DIODE ZENER 68V 500MW SOD123 | MMSZ5266B-E3-08.pdf | |
![]() | NJW0302G | TRANS PNP 250V 15A TO-3P | NJW0302G.pdf | |
![]() | RG3216N-1582-B-T5 | RES SMD 15.8K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-1582-B-T5.pdf | |
![]() | CMF6030K100FKR670 | RES 30.1K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6030K100FKR670.pdf | |
![]() | CPCC0756R00JE66 | RES 56 OHM 7W 5% RADIAL | CPCC0756R00JE66.pdf | |
![]() | Y1442110K000T0L | RES 110K OHM 1/2W 0.01% RADIAL | Y1442110K000T0L.pdf | |
![]() | MGA-53589-BLKG | RF Amplifier IC LNA, WLAN, WLL 50MHz ~ 3GHz SOT-89-3 | MGA-53589-BLKG.pdf |