ON Semiconductor 2SK536-TB-E
- 제조업체 부품 번호
- 2SK536-TB-E
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 50V 0.1A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2SK536-TB-E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 322.47067
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2SK536-TB-E, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. 2SK536-TB-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK536-TB-E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2SK536-TB-E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2SK536-TB-E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2SK536-TB-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2SK536 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 25/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20옴 @ 10mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 작동 온도 | 125°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-59 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2SK536-TB-E | |
| 관련 링크 | 2SK53, 2SK536-TB-E Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
2SK536-TB-E 의 관련 제품
| B41231B6129M | 12000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B41231B6129M.pdf | |
 | 597D227X0016E2T | 220µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 60 mOhm 0.299" L x 0.173" W (7.60mm x 4.40mm) | 597D227X0016E2T.pdf | |
| 9401210000 | VARISTOR 22V 2KA CHASSIS | 9401210000.pdf | |
 | 1N3039B-1 | DIODE ZENER 62V 1W DO204AL | 1N3039B-1.pdf | |
.jpg) | RW1A013ZPT2R | MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6 | RW1A013ZPT2R.pdf | |
 | HKQ04023N8S-T | 3.8nH Unshielded Multilayer Inductor 240mA 350 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | HKQ04023N8S-T.pdf | |
 | MCR03EZPFX1961 | RES SMD 1.96K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX1961.pdf | |
.jpg) | TNPW120624R0BEEN | RES SMD 24 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120624R0BEEN.pdf | |
| TNPU1206150KBZEN00 | RES SMD 150K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU1206150KBZEN00.pdf | |
 | CMF55162R00BHR6 | RES 162 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55162R00BHR6.pdf | |
 | MLX91206LDC-CAL-001-RE | Current Sensor 10mT 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | MLX91206LDC-CAL-001-RE.pdf | |
| P51-200-A-D-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-A-D-M12-4.5OVP-000-000.pdf |
