Microsemi Corporation 1PMT5926A/TR7
- 제조업체 부품 번호
- 1PMT5926A/TR7
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 11V 3W DO216AA
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1PMT5926A/TR7 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,922.59267
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1PMT5926A/TR7, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1PMT5926A/TR7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1PMT5926A/TR7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1PMT5926A/TR7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1PMT5926A/TR7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5926A/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5926A/TR7 | |
| 관련 링크 | 1PMT59, 1PMT5926A/TR7 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1PMT5926A/TR7 의 관련 제품
 | B43504A9397M87 | 390µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 220 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504A9397M87.pdf | |
 | GRM155R72A332KA01J | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM155R72A332KA01J.pdf | |
 | 0481004.HXL | FUSE INDICATING 4A 125VAC/VDC | 0481004.HXL.pdf | |
 | ECS-250-18-5PX-JEM-TR | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-250-18-5PX-JEM-TR.pdf | |
| SIT8008BC-13-33E-18.331111E | OSC XO 3.3V 18.331111MHZ OE | SIT8008BC-13-33E-18.331111E.pdf | |
 | SIT1602ACT8-30E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACT8-30E.pdf | |
 | IXFX26N90 | MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 | IXFX26N90.pdf | |
 | ISC1812RQ121J | 120µH Shielded Wirewound Inductor 139mA 3.64 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQ121J.pdf | |
 | SBC8-681-102 | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 520 mOhm Max Radial, Vertical Cylinder | SBC8-681-102.pdf | |
 | ERJ-1WYJ155U | RES SMD 1.5M OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1WYJ155U.pdf | |
.jpg) | RT0805CRB077K68L | RES SMD 7.68KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB077K68L.pdf | |
.jpg) | RT1206WRB0740K2L | RES SMD 40.2KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB0740K2L.pdf |
