창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5999B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N5999BMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5999B | |
관련 링크 | 1N5, 1N5999B Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | P1330-333G | 33µH Unshielded Inductor 568mA 538 mOhm Max Nonstandard | P1330-333G.pdf | |
![]() | S0402-15NH1B | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 220 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-15NH1B.pdf | |
![]() | RAVF104DJT5K10 | RES ARRAY 4 RES 5.1K OHM 0804 | RAVF104DJT5K10.pdf | |
![]() | EXB-34V7R5JV | RES ARRAY 2 RES 7.5 OHM 0606 | EXB-34V7R5JV.pdf | |
![]() | MRS25000C8258FCT00 | RES 8.25 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C8258FCT00.pdf |