창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5934BUR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N59xxBUR-1 (aka CDLL9513-56) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 18.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5934BUR-1 | |
관련 링크 | 1N593, 1N5934BUR-1 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | VJ0805D111GXCAJ | 110pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111GXCAJ.pdf | |
![]() | 416F52012CDR | 52MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52012CDR.pdf | |
![]() | SS24-TP | DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC | SS24-TP.pdf | |
![]() | 1PMT5956CE3/TR7 | DIODE ZENER 200V 3W DO216AA | 1PMT5956CE3/TR7.pdf | |
![]() | 1PMT4614E3/TR7 | DIODE ZENER 1.8V 1W DO216AA | 1PMT4614E3/TR7.pdf | |
![]() | 1N5948D G | DIODE ZENER 91V 1.25W DO204AL | 1N5948D G.pdf | |
![]() | ETQ-P4M6R8KVC | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 8.9A 20.35 mOhm Max Nonstandard | ETQ-P4M6R8KVC.pdf | |
RH02520R00FC02 | RES CHAS MNT 20 OHM 1% 25W | RH02520R00FC02.pdf | ||
HS250 R47 F | RES CHAS MNT 0.47 OHM 1% 250W | HS250 R47 F.pdf | ||
![]() | TRR03EZPF1212 | RES SMD 12.1K OHM 1% 1/10W 0603 | TRR03EZPF1212.pdf | |
![]() | CRGH0603F32K4 | RES SMD 32.4K OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F32K4.pdf | |
![]() | RNF14BAE3K52 | RES 3.52K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE3K52.pdf |