창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5933AP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 17.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 16.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5933AP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5933, 1N5933AP/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | RDE5C1H152J0P1H03B | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RDE5C1H152J0P1H03B.pdf | |
![]() | 416F520X3IKT | 52MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F520X3IKT.pdf | |
![]() | L-14C6N8JV4T | 6.8nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 300 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L-14C6N8JV4T.pdf | |
![]() | 0819-80F | 220µH Unshielded Molded Inductor 42.5mA 26.5 Ohm Max Axial | 0819-80F.pdf | |
![]() | EL816(S)(TA) | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | EL816(S)(TA).pdf | |
![]() | CRCW25121R69FNTG | RES SMD 1.69 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25121R69FNTG.pdf | |
![]() | RT1210CRD07562RL | RES SMD 562 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07562RL.pdf | |
![]() | RT1206WRD0752K3L | RES SMD 52.3KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD0752K3L.pdf | |
![]() | PHP00805H1130BBT1 | RES SMD 113 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1130BBT1.pdf | |
![]() | RCP1206W390RJS2 | RES SMD 390 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W390RJS2.pdf | |
![]() | MBB02070C2400DC100 | RES 240 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C2400DC100.pdf | |
![]() | CMF606K4900FHEB | RES 6.49K OHM 1W 1% AXIAL | CMF606K4900FHEB.pdf |