창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5829R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5829~5831R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
전류 -평균 정류(Io) | 25A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 25A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 20V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-4 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 1N5829RGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5829R | |
관련 링크 | 1N5, 1N5829R Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | S0402-8N2G1S | 8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 130 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-8N2G1S.pdf | |
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![]() | RCP0505W36R0JET | RES SMD 36 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W36R0JET.pdf | |
![]() | 4116R-2-103LF | RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16DIP | 4116R-2-103LF.pdf | |
![]() | Y078641K0730A9L | RES 41.073KOHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y078641K0730A9L.pdf |