창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5387BE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 190V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 137V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5387BE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5387B, 1N5387BE3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | SM5S16AHE3/2D | TVS DIODE 16VWM 26VC DO218AB | SM5S16AHE3/2D.pdf | |
AX-8.000MBGV-T | 8MHz ±50ppm 수정 8pF 120옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AX-8.000MBGV-T.pdf | ||
MUR5010 | DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 | MUR5010.pdf | ||
![]() | Q6012LH5TP | TRIAC ALTERNISTOR 600V 12A TO220 | Q6012LH5TP.pdf | |
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![]() | IXTP14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 | IXTP14N60P.pdf | |
![]() | L04021R5BHNTR | 1.5nH Unshielded Thin Film Inductor 400mA 200 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L04021R5BHNTR.pdf | |
![]() | CFR100G390R | RES 390 OHM 1W 2% AXIAL | CFR100G390R.pdf | |
![]() | H4210KBYA | RES 210K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4210KBYA.pdf |