창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4983US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 125옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 83.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4983US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4983US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | GL042F23IDT | 4.096MHz ±20ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL042F23IDT.pdf | |
![]() | 8W-26.000MBA-T | 26MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | 8W-26.000MBA-T.pdf | |
![]() | BAS21DW-7 | DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT363 | BAS21DW-7.pdf | |
![]() | BAS70-05-E3-08 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23 | BAS70-05-E3-08.pdf | |
![]() | SE10PJ-M3/84A | DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | SE10PJ-M3/84A.pdf | |
![]() | DMP1011UCB9-7 | MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 | DMP1011UCB9-7.pdf | |
![]() | PSM4-152M-02T0 | 1500pF Feed Through Capacitor 200V 2A 0.5 mOhm 3-PSM | PSM4-152M-02T0.pdf | |
![]() | ESR10EZPF1371 | RES SMD 1.37K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF1371.pdf | |
![]() | CRCW2512432RFKEH | RES SMD 432 OHM 1% 1W 2512 | CRCW2512432RFKEH.pdf | |
![]() | RNF14BAC154R | RES 154 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAC154R.pdf | |
![]() | 27-9300-20 | RF Attenuator 20dB 50 Ohm 0.5W BNC In-Line Module | 27-9300-20.pdf | |
![]() | RTY090HVNAX | SENSOR HALL EFFECT ROTARY | RTY090HVNAX.pdf |