Microsemi Corporation 1N4102 (DO35)
- 제조업체 부품 번호
- 1N4102 (DO35)
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 8.7V 400MW DO35
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N4102 (DO35) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,434.27132
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N4102 (DO35), we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N4102 (DO35) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4102 (DO35), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N4102 (DO35) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N4102 (DO35) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4102 (DO35) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N4614-1~4627-1e3, 1N4099-1~4135-1e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 6.61V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4102 (DO35) | |
| 관련 링크 | 1N4102, 1N4102 (DO35) Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N4102 (DO35) 의 관련 제품
 | USF0J470MDD1TE | 47µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | USF0J470MDD1TE.pdf | |
| UTM1E4R7MED1TD | 4.7µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UTM1E4R7MED1TD.pdf | |
 | VJ1825A101JBEAT4X | 100pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A101JBEAT4X.pdf | |
 | CB3LV-2I-18M7500 | 18.75MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 12mA Enable/Disable | CB3LV-2I-18M7500.pdf | |
 | AISC-1008-3R9J-T | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 3.6 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008-3R9J-T.pdf | |
 | VLS201612ET-R47N | 470nH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 63 mOhm Max Nonstandard | VLS201612ET-R47N.pdf | |
 | RR1220P-9091-D-M | RES SMD 9.09KOHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-9091-D-M.pdf | |
 | RCP1206W910RJWB | RES SMD 910 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W910RJWB.pdf | |
.jpg) | TNPW2010536RBEEY | RES SMD 536 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010536RBEEY.pdf | |
.jpg) | RCS04023K57FKED | RES SMD 3.57K OHM 1% 1/5W 0402 | RCS04023K57FKED.pdf | |
 | CMF60200K00FKR670 | RES 200K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60200K00FKR670.pdf | |
 | CMF5012K100FEBF | RES 12.1K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5012K100FEBF.pdf |
