Microsemi Corporation 1N4101UR
- 제조업체 부품 번호
- 1N4101UR
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N4101UR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,896.83000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N4101UR, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N4101UR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4101UR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N4101UR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N4101UR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4101UR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6.24V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4101UR | |
| 관련 링크 | 1N41, 1N4101UR Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N4101UR 의 관련 제품
 | EKY-250ETD101MF11D | 100µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EKY-250ETD101MF11D.pdf | |
 | LPX681M250E5P3 | 680µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 293 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | LPX681M250E5P3.pdf | |
 | ECW-F6113RHL | 0.011µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.213" W (12.50mm x 5.40mm) | ECW-F6113RHL.pdf | |
 | 824551401 | TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB | 824551401.pdf | |
 | SMBJ13CA-E3/52 | TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMB | SMBJ13CA-E3/52.pdf | |
| LP143F33IET | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP143F33IET.pdf | |
 | NRVB8H100MFST1G | DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN | NRVB8H100MFST1G.pdf | |
 | 8532-26L | 120µH Unshielded Inductor 1.12A 283 mOhm Max Nonstandard | 8532-26L.pdf | |
| 2500R-38G | 1.6mH Unshielded Molded Inductor 74mA 26 Ohm Max Axial | 2500R-38G.pdf | |
 | SI8712BC-B-ISR | General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 1 Channel 15Mbps 35kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SI8712BC-B-ISR.pdf | |
.jpg) | ERA-8APB3481V | RES SMD 3.48K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB3481V.pdf | |
 | CMF601K7800FKEA | RES 1.78K OHM 1W 1% AXIAL | CMF601K7800FKEA.pdf |
